Toshiba TK N-Channel MOSFET, 15 A, 500 V, 3-Pin TO-3PN TK20J50D(F)
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
280 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
40.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
4.8mm
Höhe
19mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 2,70
€ 2,70 Each (bez DPH)
1
€ 2,70
€ 2,70 Each (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 24 | € 2,70 |
| 25 - 99 | € 2,17 |
| 100+ | € 1,63 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
280 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
40.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
4.8mm
Höhe
19mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products