řada: TKMOSFET TK20J60W,S1VQ(O N-kanálový 20 A 600 V, TO-3PN, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Počet prvků na čip
1
Länge
15.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 129,54
€ 5,182 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
€ 129,54
€ 5,182 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.5mm
Počet prvků na čip
1
Länge
15.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products