Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
175 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.02mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Höhe
20.95mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 14,28
€ 2,856 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 14,28
€ 2,856 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,856 | € 14,28 |
25 - 45 | € 2,578 | € 12,89 |
50 - 120 | € 2,352 | € 11,76 |
125 - 245 | € 2,32 | € 11,60 |
250+ | € 2,292 | € 11,46 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
175 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.02mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Höhe
20.95mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku