řada: DTMOSIVMOSFET TK20N60W5,S1VF(S N-kanálový 20 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
DTMOSIV
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
175 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5.02mm
Länge
15.94mm
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 14,98
€ 2,996 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 14,98
€ 2,996 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,996 | € 14,98 |
| 25 - 45 | € 2,704 | € 13,52 |
| 50 - 120 | € 2,464 | € 12,32 |
| 125 - 245 | € 2,434 | € 12,17 |
| 250+ | € 2,404 | € 12,02 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
DTMOSIV
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
175 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5.02mm
Länge
15.94mm
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products