Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.02mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 87,20
€ 4,36 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
20
€ 87,20
€ 4,36 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Sáčok)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Sáčok |
---|---|---|
20 - 38 | € 4,36 | € 8,72 |
40 - 72 | € 3,835 | € 7,67 |
74 - 148 | € 3,625 | € 7,25 |
150+ | € 3,53 | € 7,06 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.02mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku