řada: TKMOSFET TK30A06N1,S4X(S N-kanálový 30 A 60 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,69
€ 0,869 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 8,69
€ 0,869 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,869 | € 8,69 |
| 100 - 190 | € 0,718 | € 7,18 |
| 200 - 360 | € 0,635 | € 6,35 |
| 370 - 740 | € 0,616 | € 6,16 |
| 750+ | € 0,604 | € 6,04 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products