Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
43 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
53 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,82
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 0,82
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,82 | € 4,10 |
50 - 120 | € 0,75 | € 3,75 |
125 - 245 | € 0,71 | € 3,55 |
250 - 495 | € 0,65 | € 3,25 |
500+ | € 0,59 | € 2,95 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
43 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
53 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku