řada: TKMOSFET TK30E06N1 N-kanálový 43 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
43 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
53 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 29,61
€ 0,592 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 29,61
€ 0,592 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,592 | € 29,61 |
| 250 - 450 | € 0,545 | € 27,24 |
| 500 - 1200 | € 0,512 | € 25,62 |
| 1250 - 2450 | € 0,493 | € 24,67 |
| 2500+ | € 0,481 | € 24,07 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
43 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
53 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products