řada: DTMOSIVMOSFET TK31E60X,S1X(S N-kanálový 30,8 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
88 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
230 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
65 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,34
€ 3,67 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 7,34
€ 3,67 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 3,67 | € 7,34 |
| 10 - 18 | € 2,69 | € 5,38 |
| 20 - 48 | € 2,62 | € 5,24 |
| 50 - 98 | € 2,54 | € 5,08 |
| 100+ | € 2,495 | € 4,99 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
88 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
230 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
65 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.7V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products