řada: TKMOSFET TK32E12N1,S1X(S N-kanálový 60 A 120 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
98 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 60,80
€ 1,216 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
50
€ 60,80
€ 1,216 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Sáčok)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Sáčok |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,216 | € 6,08 |
| 100 - 245 | € 1,156 | € 5,78 |
| 250 - 495 | € 1,024 | € 5,12 |
| 500+ | € 0,962 | € 4,81 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
98 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products