řada: TKMOSFET TK40A06N1,S4X(S N-kanálový 60 A 60 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,15
€ 0,515 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 5,15
€ 0,515 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,515 | € 5,15 |
| 50 - 90 | € 0,334 | € 3,34 |
| 100 - 240 | € 0,327 | € 3,27 |
| 250 - 490 | € 0,317 | € 3,17 |
| 500+ | € 0,31 | € 3,10 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products