Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
67 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 31,24
€ 0,625 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 31,24
€ 0,625 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
67 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku