řada: TKMOSFET TK40E06N1 N-kanálový 60 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
67 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,52
€ 1,104 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 5,52
€ 1,104 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,104 | € 5,52 |
| 50 - 120 | € 1,004 | € 5,02 |
| 125 - 245 | € 0,95 | € 4,75 |
| 250 - 495 | € 0,874 | € 4,37 |
| 500+ | € 0,806 | € 4,03 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
67 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products