Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
112 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
168 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
69 nC při 10 V
Höhe
15.1mm
Řada
U-MOSVIII-H
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
112 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
168 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
69 nC při 10 V
Höhe
15.1mm
Řada
U-MOSVIII-H
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku