řada: TKMOSFET TK58A06N1,S4X(S N-kanálový 58 A 60 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
58 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 9,27
€ 1,545 Each (In a Pack of 6) (bez DPH)
Štandardný
6
€ 9,27
€ 1,545 Each (In a Pack of 6) (bez DPH)
Štandardný
6
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
58 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products