řada: TKMOSFET TK58A06N1,S4X(S N-kanálový 58 A 60 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
58 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 3,79
€ 0,758 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 3,79
€ 0,758 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,758 | € 3,79 |
| 50 - 95 | € 0,626 | € 3,13 |
| 100 - 245 | € 0,568 | € 2,84 |
| 250 - 495 | € 0,556 | € 2,78 |
| 500+ | € 0,548 | € 2,74 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
58 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products