MOSFET TK5A50D,S5Q(J N-kanálový 5 A 500 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
35 W při 25 °C
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Propustné napětí diody
-1.7V
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,44
€ 0,422 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 8,44
€ 0,422 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 40 | € 0,422 | € 8,44 |
| 60+ | € 0,38 | € 7,60 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
35 W při 25 °C
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Propustné napětí diody
-1.7V
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products