řada: DTMOSIVMOSFET TK62N60W5,S1VF(S N-kanálový 61,8 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Si

Skladové číslo RS: 125-0585Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK62N60W5,S1VF(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

61.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Řada

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

45 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

400 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

5.02mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

15.94mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

205 nC při 10 V

Höhe

20.95mm

Propustné napětí diody

1.7V

Podrobnosti o výrobku

MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: DTMOSIVMOSFET TK62N60W5,S1VF(S N-kanálový 61,8 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Si

1

Dostupné v násobkoch 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

řada: DTMOSIVMOSFET TK62N60W5,S1VF(S N-kanálový 61,8 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

1

Dostupné v násobkoch 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

61.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Řada

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

45 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

400 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

5.02mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

15.94mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

205 nC při 10 V

Höhe

20.95mm

Propustné napětí diody

1.7V

Podrobnosti o výrobku

MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more