Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
62 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
400 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
180 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.02mm
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 297,50
€ 9,917 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 297,50
€ 9,917 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 120 | € 9,917 | € 297,50 |
150 - 270 | € 8,925 | € 267,74 |
300+ | € 8,389 | € 251,68 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
62 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
400 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
180 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.02mm
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku