řada: TKMOSFET TK62N60W,S1VF(S N-kanálový 62 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
62 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
400 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
180 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.02mm
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 323,68
€ 10,789 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 323,68
€ 10,789 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 10,789 | € 323,68 |
| 150 - 270 | € 9,71 | € 291,31 |
| 300+ | € 9,128 | € 273,84 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
62 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
400 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
180 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.02mm
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products