řada: TKMOSFET TK72A12N1,S4X(S N-kanálový 72 A 120 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
130 nC při 10 V
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 96,48
€ 1,93 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 96,48
€ 1,93 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 1,93 | € 96,48 |
| 250 - 450 | € 1,791 | € 89,56 |
| 500+ | € 1,747 | € 87,34 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.5mm
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
130 nC při 10 V
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products