Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
192 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
81 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 6,96
€ 1,392 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 6,96
€ 1,392 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,392 | € 6,96 |
| 25 - 45 | € 0,838 | € 4,19 |
| 50 - 120 | € 0,764 | € 3,82 |
| 125 - 245 | € 0,756 | € 3,78 |
| 250+ | € 0,744 | € 3,72 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
192 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
81 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


