řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK72E08N1,S1X(S N-kanálový 157 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si

Skladové číslo RS: 125-0591Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK72E08N1,S1X(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

157 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4.3 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

192 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

4.45mm

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

81 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

15.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 6,96

€ 1,392 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK72E08N1,S1X(S N-kanálový 157 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si

€ 6,96

€ 1,392 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TK72E08N1,S1X(S N-kanálový 157 A 80 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
5 - 20€ 1,392€ 6,96
25 - 45€ 0,838€ 4,19
50 - 120€ 0,764€ 3,82
125 - 245€ 0,756€ 3,78
250+€ 0,744€ 3,72

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

157 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4.3 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

192 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

4.45mm

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

81 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

15.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more