řada: TKMOSFET TK72E12N1,S1X(S N-kanálový 72 A 120 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
225 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
130 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.45mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,50
€ 1,50 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 7,50
€ 1,50 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,50 | € 7,50 |
| 25 - 45 | € 1,32 | € 6,60 |
| 50 - 95 | € 1,154 | € 5,77 |
| 100 - 245 | € 1,078 | € 5,39 |
| 250+ | € 1,02 | € 5,10 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
120 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
225 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
130 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
4.45mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products