řada: DTMOSIVMOSFET TK8P60W5,RVQ(S N-kanálový 8 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 133-2804Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK8P60W5,RVQ(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Řada

DTMOSIV

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

560 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

80 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

6.6mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

22 nC při 10 V

Breite

6.1mm

Počet prvků na čip

1

Höhe

2.3mm

Propustné napětí diody

1.7V

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET N-channel, řada TK8 a TK9, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 10,64

€ 1,064 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK8P60W5,RVQ(S N-kanálový 8 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 10,64
20€ 21,28
30€ 31,92
40€ 42,56
50€ 53,20
60€ 63,84
70€ 74,48
80€ 85,12
90€ 95,76
100€ 106,40
110€ 117,04
120€ 127,68
130€ 138,32
140€ 148,96
150€ 159,60

€ 10,64

€ 1,064 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK8P60W5,RVQ(S N-kanálový 8 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 10,64
20€ 21,28
30€ 31,92
40€ 42,56
50€ 53,20
60€ 63,84
70€ 74,48
80€ 85,12
90€ 95,76
100€ 106,40
110€ 117,04
120€ 127,68
130€ 138,32
140€ 148,96
150€ 159,60

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Řada

DTMOSIV

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

560 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

80 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

6.6mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

22 nC při 10 V

Breite

6.1mm

Počet prvků na čip

1

Höhe

2.3mm

Propustné napětí diody

1.7V

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET N-channel, řada TK8 a TK9, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more