řada: TPCMOSFET TPC8125 P-kanálový 10 A 30 V, SOP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TPC
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.9 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +20 V
Breite
3.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.52mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET, P-Channel, řada TPC, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 3,10
€ 0,62 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 3,10
€ 0,62 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,62 | € 3,10 |
| 50 - 495 | € 0,586 | € 2,93 |
| 500 - 2495 | € 0,556 | € 2,78 |
| 2500 - 4995 | € 0,496 | € 2,48 |
| 5000+ | € 0,466 | € 2,33 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TPC
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.9 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +20 V
Breite
3.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.52mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET, P-Channel, řada TPC, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products