Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
32 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
21 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 4,56
€ 0,456 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 4,56
€ 0,456 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
32 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
21 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


