řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPH11006NL,LQ(S N-kanálový 40 A 60 V, SOP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 133-2809Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TPH11006NL,LQ(SDistrelec Article No.: 30409221
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

40 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

SOP, SOP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

17 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

34 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

5mm

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

23 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

0.95mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 7,07

€ 0,354 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPH11006NL,LQ(S N-kanálový 40 A 60 V, SOP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

€ 7,07

€ 0,354 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPH11006NL,LQ(S N-kanálový 40 A 60 V, SOP, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

40 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

SOP, SOP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

17 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

34 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

5mm

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

23 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

0.95mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more