Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,8 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
5mm
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 7,59
€ 0,38 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 7,59
€ 0,38 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,38 | € 7,59 |
| 100 - 180 | € 0,348 | € 6,96 |
| 200 - 980 | € 0,339 | € 6,78 |
| 1000 - 1980 | € 0,326 | € 6,53 |
| 2000+ | € 0,318 | € 6,37 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
38 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
U-MOSVIII-H
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,8 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
5mm
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.95mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


