řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPN11003NL,LQ(S N-kanálový 31 A 30 V, TSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 133-2811Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TPN11003NL,LQ(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

31 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TSON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

16 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

19 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

3.1mm

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7,5 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

0.85mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 5,07

€ 0,254 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPN11003NL,LQ(S N-kanálový 31 A 30 V, TSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 5,07
40€ 10,14
60€ 15,21
80€ 20,28
100€ 21,50
120€ 25,80
140€ 30,10
160€ 34,40
180€ 38,70
200€ 39,80
220€ 43,78
240€ 47,76
260€ 51,74
280€ 55,72
300€ 59,70

€ 5,07

€ 0,254 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPN11003NL,LQ(S N-kanálový 31 A 30 V, TSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 5,07
40€ 10,14
60€ 15,21
80€ 20,28
100€ 21,50
120€ 25,80
140€ 30,10
160€ 34,40
180€ 38,70
200€ 39,80
220€ 43,78
240€ 47,76
260€ 51,74
280€ 55,72
300€ 59,70

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
20 - 80€ 0,254€ 5,07
100 - 180€ 0,215€ 4,30
200 - 980€ 0,199€ 3,98
1000 - 1980€ 0,192€ 3,83
2000+€ 0,186€ 3,72

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

31 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TSON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

16 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.3V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.3V

Maximální ztrátový výkon

19 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

3.1mm

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7,5 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

0.85mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more