řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPN30008NH,LQ(S N-kanálový 22 A 80 V, TSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 133-2814Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TPN30008NH,LQ(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

22 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TSON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

30 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

27 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

3.1mm

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

0.85mm

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 6,43

€ 0,322 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPN30008NH,LQ(S N-kanálový 22 A 80 V, TSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 6,43
40€ 12,86
60€ 19,29
80€ 25,72
100€ 32,15
120€ 38,58
140€ 45,01
160€ 51,44
180€ 57,87
200€ 64,30
220€ 70,73
240€ 77,16
260€ 83,59
280€ 90,02
300€ 96,45

€ 6,43

€ 0,322 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

řada: U-MOSVIII-HMOSFET TPN30008NH,LQ(S N-kanálový 22 A 80 V, TSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

20

Dostupné v násobkoch 20
20€ 6,43
40€ 12,86
60€ 19,29
80€ 25,72
100€ 32,15
120€ 38,58
140€ 45,01
160€ 51,44
180€ 57,87
200€ 64,30
220€ 70,73
240€ 77,16
260€ 83,59
280€ 90,02
300€ 96,45

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

22 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Řada

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TSON

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

30 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

27 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

3.1mm

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Höhe

0.85mm

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more