Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
12 A
Kollektor-Emitter-
80 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
30 W
Minimální proudový zisk DC
120
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
80 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
10 x 4.5 x 15mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Výkonová tranzistory NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,20
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,20
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,20 | € 6,00 |
25+ | € 1,02 | € 5,10 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
12 A
Kollektor-Emitter-
80 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
30 W
Minimální proudový zisk DC
120
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
80 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
10 x 4.5 x 15mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku