Tranzistor Darlington TTD1415B,S4X(S PNP 7 A 100 V HFE:1000, TO-220SIS, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
7 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfiguration
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2 V
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
2µA
Höhe
15mm
Breite
4.5mm
Maximální ztrátový výkon
25 W při 25 °C
Abmessungen
10 x 4.5 x 15mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
100mm
Bázový proud
0.7A
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,55
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 0,55
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 0,55 | € 5,50 |
| 30+ | € 0,49 | € 4,90 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
7 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfiguration
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2 V
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
2µA
Höhe
15mm
Breite
4.5mm
Maximální ztrátový výkon
25 W při 25 °C
Abmessungen
10 x 4.5 x 15mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
100mm
Bázový proud
0.7A
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products