řada: TrenchFETMOSFET Si2319DDS-T1-GE3 P-kanálový 3,6 A 40 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.04mm
Breite
1.4mm
Počet prvků na čip
1
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,13
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,13
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.04mm
Breite
1.4mm
Počet prvků na čip
1
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products