Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,5 nC při 10 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19,5 nC při 10 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China