řada: TrenchFETMOSFET SiA106DJ-T1-GE3 N-kanálový 12 A 60 V, SC-70-6L, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
SC-70-6L
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
19 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Länge
2.2mm
Počet prvků na čip
1
Breite
1.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,9 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Propustné napětí diody
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 946,80
€ 0,316 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 946,80
€ 0,316 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
SC-70-6L
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
19 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Länge
2.2mm
Počet prvků na čip
1
Breite
1.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,9 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Propustné napětí diody
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products