řada: TrenchFETMOSFET SiA106DJ-T1-GE3 N-kanálový 12 A 60 V, SC-70-6L, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SC-70-6L
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
19 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,9 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,67
€ 0,567 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 5,67
€ 0,567 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,567 | € 5,67 |
| 50 - 90 | € 0,512 | € 5,12 |
| 100 - 490 | € 0,481 | € 4,81 |
| 500 - 990 | € 0,452 | € 4,52 |
| 1000+ | € 0,397 | € 3,97 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SC-70-6L
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
19 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,9 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products