řada: TrenchFETMOSFET SiDR392DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V, PowerPAK SO-8DC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8DC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V, +6 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
125 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.07mm
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 3 258,00
€ 1,086 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 3 258,00
€ 1,086 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8DC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
900 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V, +6 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
125 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.07mm
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products