řada: TrenchFETMOSFET SiRA10BDP-T1-GE3 N-kanálový 60 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 178-3688Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SiRA10BDP-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay Siliconix

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

60 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Maximální ztrátový výkon

43 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

5mm

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

24,1 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Höhe

1.07mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

řada: TrenchFETMOSFET SiRA10BDP-T1-GE3 N-kanálový 60 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

3000

Dostupné v násobkoch 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

řada: TrenchFETMOSFET SiRA10BDP-T1-GE3 N-kanálový 60 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

3000

Dostupné v násobkoch 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay Siliconix

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

60 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Maximální ztrátový výkon

43 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

5mm

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

24,1 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Höhe

1.07mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more