řada: TrenchFETMOSFET SiS110DN-T1-GE3 N-kanálový 14,2 A 100 V, PowerPAK 1212-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
14.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.15mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 10 V
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.07mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,19
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,19
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
14.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.15mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 10 V
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.07mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products