Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
14.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
€ 10,69
€ 0,428 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 10,69
€ 0,428 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
14.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
24 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China


