řada: TrenchFETMOSFET SISC06DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V, 1212, počet kolíků: 8 dvojitý Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
1212
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
46.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38,5 nC při 10 V
Breite
3.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.7V
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
1212
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Maximální ztrátový výkon
46.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38,5 nC při 10 V
Breite
3.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.7V
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products