řada: TrenchFETMOSFET SiSH617DN-T1-GE3 P-kanálový 35 A 30 V, 1212, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
1212
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±25 V
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
1212
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
20 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
52 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±25 V
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.07mm
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products