Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAIR 3 x 3
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
16.7 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Breite
3mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.75mm
€ 1 056,31
€ 0,352 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 056,31
€ 0,352 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
30 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAIR 3 x 3
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
16.7 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Breite
3mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.75mm


