Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAIR 6 x 5F
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +20 V
Počet prvků na čip
2
Breite
6mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
100 nC při 10 V (kanál 2), 24,5 nC při 10 V (kanál 1)
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.7mm
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAIR 6 x 5F
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
83 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +20 V
Počet prvků na čip
2
Breite
6mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
100 nC při 10 V (kanál 2), 24,5 nC při 10 V (kanál 1)
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.7mm


