řada: TrenchFETMOSFET SIZF916DT-T1-GE3 N-kanálový 40 A (kanál 1), 60 A (kanál 2) 30 V, PowerPAIR 6 x 5, počet kolíků: 8
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A (kanál 1), 60 A (kanál 2)
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAIR 6 x 5
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
26.6 W, 60 W.
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+16 V, +20 V, -12 V, -16 V
Breite
6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,6 nC při 10 V (kanál 1), 62 nC při 10 V (kanál 2)
Höhe
0.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
40 A (kanál 1), 60 A (kanál 2)
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAIR 6 x 5
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Maximální ztrátový výkon
26.6 W, 60 W.
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+16 V, +20 V, -12 V, -16 V
Breite
6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,6 nC při 10 V (kanál 1), 62 nC při 10 V (kanál 2)
Höhe
0.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products