Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.46V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±8 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,21
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,21
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.46V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±8 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China