Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
186 nC při 10 V
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Höhe
6.22mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 11,80
€ 1,18 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 11,80
€ 1,18 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,18 | € 11,80 |
100 - 490 | € 1,005 | € 10,05 |
500 - 990 | € 0,885 | € 8,85 |
1000+ | € 0,768 | € 7,68 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
186 nC při 10 V
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Höhe
6.22mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China