Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3

Skladové číslo RS: 178-3960Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQD40061EL_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

107 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

2.38mm

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

185 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 13,20

€ 1,32 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Vyberte typ balenia

€ 13,20

€ 1,32 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 3-Pin DPAK SQD40061EL_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaBalík
10 - 90€ 1,32€ 13,20
100 - 490€ 1,122€ 11,22
500 - 990€ 0,991€ 9,91
1000+€ 0,859€ 8,59

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

107 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

2.38mm

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

185 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.5V

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more