Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
107 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
2.38mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
185 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
€ 12,24
€ 1,224 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 12,24
€ 1,224 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,224 | € 12,24 |
| 100 - 490 | € 1,04 | € 10,40 |
| 500 - 990 | € 0,919 | € 9,19 |
| 1000+ | € 0,797 | € 7,97 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
107 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
2.38mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
185 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
6.22mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China


