Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ431AEP-T1_GE3

Skladové číslo RS: 178-3718Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQJ431AEP-T1_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9.4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8 l

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

760 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

68 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Breite

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

55 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1 670,67

€ 0,557 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ431AEP-T1_GE3

€ 1 670,67

€ 0,557 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ431AEP-T1_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9.4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8 l

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

760 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

68 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Breite

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

55 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more