Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 8 x 8 l
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
760 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
68 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
€ 1 670,67
€ 0,557 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 670,67
€ 0,557 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
PowerPAK 8 x 8 l
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
760 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
68 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
55 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China