Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ481EP-T1_GE3

Skladové číslo RS: 178-3719Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQJ481EP-T1_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

16 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8 l

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

90 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

45 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

33 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Automobilový standard

AEC-Q101

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 1 205,10

€ 0,402 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ481EP-T1_GE3

€ 1 205,10

€ 0,402 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ481EP-T1_GE3

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

16 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8 l

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

90 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

45 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

5.99mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

33 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Automobilový standard

AEC-Q101

Höhe

1.07mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more