Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
5 → 30mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-206AA
Pinanzahl
3
Abmessungen
5.84 x 5.84 x 5.33mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Länge
5.84mm
Höhe
5.33mm
Breite
5.84mm
Podrobnosti o výrobku
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
5 → 30mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-206AA
Pinanzahl
3
Abmessungen
5.84 x 5.84 x 5.33mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Länge
5.84mm
Höhe
5.33mm
Breite
5.84mm
Podrobnosti o výrobku
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.